- 产品型号 THGJFJT2T85BAT0
- 品牌 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- 描述 512GB UFS V4.0
- 分类 记忆
-
PDF
库存:1651
技术细节
- 安装类型 153-BGA
- 匝数 Surface Mount
- Q值 @ 频率 4Tbit
- 外壳材料 Non-Volatile
- 扭矩 - 螺丝 -25°C ~ 85°C
- 直径 - 内径 2.4V ~ 2.7V
- 功能 - 照明 FLASH - NAND
- 电压 - VCCB 2.32 GHz
- 内存 FLASH
- 最大交流电压 153-BGA (11x13)
- UFS 4.0
- 512G x 8
相关产品
IC FLASH 4TBIT EMMC 5.1 100FBGA
库存: 10
