- 产品型号 K4B4G1646E-BYK000
- 品牌 Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 分类 记忆
技术细节
- 安装类型 96-TFBGA
- 匝数 Surface Mount
- Q值 @ 频率 4Gbit
- 外壳材料 Volatile
- 扭矩 - 螺丝 0°C ~ 95°C
- 直径 - 内径 1.35V
- 电压 - VCCB 800 MHz
- 内存 DRAM
- Parallel
- 256M x 16
- Not Verified
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