技术细节

• 电压 NAND Gate
• 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 125°C
• 直径 - 内径 2V ~ 6V
• 电流 - 输入偏置（最大值） 5.2mA, 5.2mA
• 电流传输比（最大值） 3
• 高斯强度 1.5V ~ 4.2V
• 直径 - 圆筒 0.5V ~ 1.8V
• 宽度 - 内部 16ns @ 6V, 50pF
• 3
• 2 µA