التفاصيل الفنية

• نوع التثبيت 8-XFDFN
• عدد اللفات Surface Mount
• الجهد الكهربائي NAND Gate
• عزم الدوران - برغي -40°C ~ 125°C
• القطر - الداخلي 1.65V ~ 5.5V
• التيار - انحياز الإدخال (الأقصى) 32mA, 32mA
• نسبة نقل التيار (الحد الأقصى) 2
• أقصى فولتية تيار متردد X2-DFN1410-8
• قوة غاوس 1.07V ~ 3.85V
• القطر - البرميل 0.58V ~ 1.65V
• العرض - من الداخل 4.2ns @ 5V, 50pF
• 2
• 40 µA